BZG05C9V1和BZG05C9V1TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZG05C9V1 BZG05C9V1TR

描述 硅Z-二极管 Silicon Z-Diodes齐纳二极管 Zener Diodes

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

封装 DO-214 DO-214AC-2

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 2

封装 DO-214 DO-214AC-2

长度 - 4.5 mm

宽度 - 2.8 mm

高度 - 2.2 mm

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

额定功率 - 3 W

击穿电压 - 9.10 V

正向电压 - 1.2V @200mA

耗散功率 - 1.25 W

测试电流 - 25 mA

稳压值 - 9.1 V

额定功率(Max) - 1.25 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 65 ℃

耗散功率(Max) - 1250 mW

工作温度 - -65℃ ~ 150℃

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台