对比图
型号 IRFF230PBF JANTX2N6798 JANTXV2N6798
描述 TO-39 N-CH 200V 5.5A每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557N-channel enhancement mode MOSFET power transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美) Omnirel Corp
分类 MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole -
封装 TO-39 TO-39 -
引脚数 - 3 -
极性 N-CH - -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -
连续漏极电流(Ids) 5.5A - -
耗散功率 - 0.8 W -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 800mW (Ta), 25W (Tc) -
封装 TO-39 TO-39 -
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -
含铅标准 - Contains Lead -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -