FF50R12RT4和FF50R12RT4HOSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FF50R12RT4 FF50R12RT4HOSA1 F4-50R12MS4

描述 IGBT 模块 IGBT 1200V 50A晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 50 A, 1.85 V, 285 W, 1.2 kV, ModuleEconoDUAL ™ 2 MODUL MIT schnellem IGBT2献给hochfrequentes Schalten UND NTC EconoDUAL™2 Modul mit schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten und NTC

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Screw - Screw

引脚数 7 7 14

封装 AG-34MM-1 AG-34MM-1 Econo D

额定功率 285 W - -

耗散功率 285 W 285 W 355 W

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V -

输入电容(Cies) 2.8nF @25V 2.8nF @25V -

额定功率(Max) 285 W 285 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) 285000 mW 285000 mW -

极性 - - N-Channel

高度 28.8 mm - -

封装 AG-34MM-1 AG-34MM-1 Econo D

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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