ICTE18HE3_A/C和ICTE18-E3/51

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ICTE18HE3_A/C ICTE18-E3/51 ICTE18-E3/54

描述 Tvs Diode 18vwm 25.2vc 1.5keDiode TVS Single Uni-Dir 18V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE BulkTRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装 1500W,ICTE 系列,Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

引脚数 - - 2

击穿电压 - 21.2 V -

耗散功率 - 1.5 kW -

钳位电压 - 25.2 V 24.2 V

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 21.2 V 21.2 V 21.2 V

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

测试电流 - - 1 mA

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

长度 - - 9.5 mm

高度 - - 5.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free

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