MMBZ6V8ALT1G和PACDN042Y3R

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBZ6V8ALT1G PACDN042Y3R MMBZ6V8AL-7-F

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBZ6V8ALT1G  单管二极管 齐纳, TVS, 24 W, SOT-23, 3 引脚ESD 保护器,On Semiconductor### 瞬态电压抑制器,On SemiconductorDIODES INC.  MMBZ6V8AL-7-F  TVS二极管, AEC-Q113, AEC-Q101 MMBZ系列, 单向, 4.5 V, 9.6 V, SOT-23, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 齐纳二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 6.80 V - 4.50 V

工作电压 4.5 V 6.1 V -

额定功率 24.0 W - 24 W

击穿电压 6.46 V - 6.46 V

针脚数 3 3 -

耗散功率 300 mW 225 mW 225 mW

钳位电压 9.6 V 8 V 9.6 V

测试电流 1 mA - 1 mA

最大反向击穿电压 7.14 V - 7.14 V

稳压值 6.8 V - -

脉冲峰值功率 24 W 0.22 W 24 W

最小反向击穿电压 6.46 V 6.2 V 6.46 V

击穿电压 6.46 V - 6.46 V

工作温度(Max) 150 ℃ 85 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -65 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃ - -65℃ ~ 150℃

耗散功率(Max) 300 mW 225 mW 225 mW

电容 - 30 pF -

无卤素状态 - Halogen Free -

长度 3.04 mm 3.04 mm 1.3 mm

宽度 1.4 mm 1.4 mm 2.9 mm

高度 0.94 mm 0.94 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 85℃ (TA) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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