IXFN72N55Q2和IXFN80N60P3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFN72N55Q2 IXFN80N60P3

描述 Trans MOSFET N-CH 550V 72A 4Pin SOT-227BN 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Chassis Panel

引脚数 - 4

封装 SOT-227-4 SOT-227-4

针脚数 - 4

漏源极电阻 72 mΩ 0.077 Ω

极性 - N-CH

耗散功率 890 W 960 W

阈值电压 - 5 V

漏源极电压(Vds) 550 V 600 V

连续漏极电流(Ids) - 66A

上升时间 23 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 10500pF @25V(Vds) 13100pF @25V(Vds)

下降时间 10 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 890W (Tc) 960W (Tc)

通道数 1 -

漏源击穿电压 550 V -

额定功率(Max) 890 W -

长度 38.2 mm 38.23 mm

宽度 25.07 mm 25.07 mm

高度 9.6 mm 9.6 mm

封装 SOT-227-4 SOT-227-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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