KSH41C和MJD41CT4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSH41C MJD41CT4G CJD41CTR13LEADFREE

描述 通用放大器低速切换应用D- PAK表面贴装应用 General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount ApplicationsON SEMICONDUCTOR  MJD41CT4G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 1.75 W, 6 A, 15 hFEDPAK NPN 100V 10A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DPAK TO-252-3 DPAK

引脚数 - 4 -

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 6A 6A 10A

频率 - 3 MHz -

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 6.00 A -

针脚数 - 4 -

耗散功率 - 1.75 W -

最小电流放大倍数(hFE) - 15 @3A, 4V -

额定功率(Max) - 1.75 W -

直流电流增益(hFE) - 15 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 1750 mW -

封装 DPAK TO-252-3 DPAK

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.38 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

材质 - Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

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