BFY90和MMBTH10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFY90 MMBTH10 BFS17

描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-72, TO-72, 4PinRF Small Signal Bipolar Transistor,Transistor,

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Taitron Vishay Intertechnology

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

封装 TO-206 - -

击穿电压(集电极-发射极) 15 V - -

增益 23 dB - -

最小电流放大倍数(hFE) 20 @25mA, 1V - -

额定功率(Max) 200 mW - -

耗散功率(Max) 200 mW - -

封装 TO-206 - -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

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