对比图
型号 NTB23N03RT4 NTB23N03RT4G NTB23N03R
描述 功率MOSFET 23安培， 25伏特N沟道D2PAK Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N−Channel D2PAK23A,25V功率MOSFET23A,25V功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V 25.0 V
额定电流 23.0 A 23.0 A 23.0 A
漏源极电阻 32.0 mΩ 32 mΩ 32.0 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 37.5 W 37.5 W 37.5 W
输入电容 - - 225 pF
栅电荷 - - 3.76 nC
漏源极电压(Vds) 25.0 V 25 V 25 V
漏源击穿电压 25.0 V 25 V 25.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 23.0 A 23.0 A 23.0 A
输入电容(Ciss) - 225pF @20V(Vds) 225pF @20V(Vds)
额定功率(Max) - 37.5 W 37.5 W
耗散功率(Max) - 37.5 W 37.5 W
通道数 - 1 -
上升时间 14.9 ns 14.9 ns -
下降时间 2 ns 2 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.29 mm -
宽度 - 9.65 mm -
高度 - 4.83 mm -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead
ECCN代码 - EAR99 -