2N5551BU和BC449A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5551BU BC449A 2N5551

描述 ON Semiconductor 2N5551BU , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=160 V, HFE:80, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装高电压晶体管 High Voltage Transistors160V NPN General Purpose Transistor in TO-92, RoHS

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Taitron

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-92-3 TO-226-3 -

引脚数 3 - -

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 300 mA -

极性 - PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 160 V 100 V -

集电极最大允许电流 - 0.3A -

最小电流放大倍数(hFE) 80 @10mA, 5V 120 @2mA, 5V -

额定功率(Max) 625 mW 625 mW -

频率 300 MHz - -

针脚数 3 - -

耗散功率 625 mW - -

直流电流增益(hFE) 30 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -50 ℃ - -

耗散功率(Max) 625 mW - -

封装 TO-92-3 TO-226-3 -

长度 5.2 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 5.33 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Bag Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead -

ECCN代码 EAR99 - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台