对比图
型号 IRFR3518 IRFR3518TRPBF IRFR3518PBF
描述 DPAK N-CH 80V 38AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N 通道功率 MOSFET 30A 至 39A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 DPAK-252 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 - 110 W 110 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.024 Ω 0.029 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 - 110 W 110 W
阈值电压 - 4 V 4 V
输入电容 - 1710 pF -
漏源极电压(Vds) 80 V 80 V 80 V
连续漏极电流(Ids) 38A 38A 38A
上升时间 25 ns 25 ns 25 ns
输入电容(Ciss) - 1710pF @25V(Vds) 1710pF @25V(Vds)
下降时间 13 ns 13 ns 13 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 110W (Tc) 110W (Tc)
产品系列 IRFR3518 - -
通道数 - - 1
长度 - 6.73 mm 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm 6.22 mm
高度 - 2.39 mm 2.39 mm
封装 DPAK-252 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Rail, Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17