IRHNA67160和IRHNA67160PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRHNA67160 IRHNA67160PBF A67-1

描述 SMD-2 N-CH 100V 56ASMD-2 N-CH 100V 56APower Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-2, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SMD-2 SMD-2 -

引脚数 3 - -

极性 N-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

连续漏极电流(Ids) 56A 56A -

输入电容(Ciss) 8690pF @25V(Vds) - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 250000 mW - -

封装 SMD-2 SMD-2 -

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

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