PH2520U和PH2520U,115

对比图

型号 PH2520U PH2520U,115

描述 N沟道的TrenchMOS超低水平FET N-channel TrenchMOS ultra low level FETTrans MOSFET N-CH 20V 100A 5Pin(4+Tab) LFPAK T/R

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-669 LFPAK-4

引脚数 4 -

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 62.5 W 62.5 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 100 A 100 A

输入电容(Ciss) - 5850pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 62.5 W

输入电容 - -

上升时间 - -

下降时间 - -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) - -

漏源极电阻 0.0021 Ω -

阈值电压 700 mV -

工作结温(Max) 150 ℃ -

封装 SOT-669 LFPAK-4

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -