2N6385和JAN2N6674

对比图

型号 2N6385 JAN2N6674 JANTX2N6385

描述 NTE ELECTRONICS 2N6385 Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 80V, 150W, 10A, 1000 hFETrans GP BJT NPN 300V 15A 3Pin(2+Tab) TO-3Trans Darlington NPN 80V 10A 6000mW 3Pin(2+Tab) TO-3

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 TO-3 TO-204 TO-3

引脚数 2 - 3

击穿电压(集电极-发射极) - 300 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 8 @10A, 2V -

额定功率(Max) - 6 W -

极性 NPN - -

耗散功率 150 W - 6 W

直流电流增益(hFE) 1000 - -

工作温度(Max) 200 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 6000 mW

封装 TO-3 TO-204 TO-3

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - -

ECCN代码 - - EAR99