SA48AG和1.5KE56ARL4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SA48AG 1.5KE56ARL4G 1.5KE91A

描述 500瓦峰值功率MiniMOSORB齐纳瞬态电压抑制器 500 Watt Peak Power MiniMOSORB Zener Transient Voltage Suppressors1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Littelfuse (力特)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-15-2 41A-04 DO-201

引脚数 - 2 2

工作电压 48 V - -

击穿电压 53.3 V 56.0 V 91 V

钳位电压 77.4 V 77 V 125 V

最大反向电压(Vrrm) 48V 47.8V -

脉冲峰值功率 500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 53.3 V 53.2 V 86.5 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - 56.0 V -

额定功率 - 1.50 kW -

无卤素状态 - Halogen Free -

电路数 - 1 -

测试电流 - 1 mA 1 mA

最大反向击穿电压 - 58.8 V -

击穿电压 - 53.2 V 86.5 V

工作结温 - -65℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃

正向电压 - - 3.5 V

耗散功率 - - 6.5 W

封装 DO-15-2 41A-04 DO-201

长度 - 9.5 mm 9.5 mm

直径 - 5.30 mm 5.30 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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