NTR0202PLT1和NTR0202PLT3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTR0202PLT1 NTR0202PLT3 NTR0202PLT1G

描述 -25A,-30V功率MOSFET功率MOSFET -20 V, -400毫安, P沟道SOT- 23封装 Power MOSFET -20 V, -400 mA, P-Channel SOT-23 PackageON SEMICONDUCTOR  NTR0202PLT1G  晶体管, MOSFET, P沟道, 400 mA, -20 V, 800 mohm, -10 V, -1.9 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

额定电压(DC) -20.0 V - -20.0 V

额定电流 -400 mA - -400 mA

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 550 mΩ - 0.8 Ω

极性 P-Channel P-CH P-Channel

耗散功率 225 mW - 225 mW

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 - - 20 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 400 mA 0.4A 400 mA

上升时间 6 ns - 6 ns

正向电压(Max) - - 1 V

输入电容(Ciss) 70pF @5V(Vds) - 70pF @5V(Vds)

额定功率(Max) 225 mW - 225 mW

下降时间 6 ns - 4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 225mW (Ta) - 225 mW

长度 2.9 mm - 3.04 mm

宽度 1.3 mm - 1.4 mm

高度 0.94 mm - 1.01 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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