LM385BZ-1.2/NOPB和LM385LP-1-2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM385BZ-1.2/NOPB LM385LP-1-2 LM385Z-1.2G

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LM385BZ-1.2/NOPB  电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM385系列, 1.235V, TO-226AA-3TEXAS INSTRUMENTS  LM385LP-1-2  电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM385系列, 1.235V, TO-226AA-3ON SEMICONDUCTOR  LM385Z-1.2G  电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM385系列, 1.235V, TO-226AA-3

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

容差 ±1 % ±2 % ±2 %

输出电压 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电流 20 mA 20 mA 20 mA

供电电流 10.0 A 20.0 mA -

通道数 1 1 1

针脚数 3 3 3

输出电压(Max) 1.2 V 1.235 V 1.26 V

输出电压(Min) 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电流(Max) 20 mA 20 mA 20 mA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

精度 - ±2 % ±2 %

额定电流 - - 10.0 A

无卤素状态 - - Halogen Free

工作结温(Max) - - 70 ℃

额定电压 1.235 V - -

长度 5.2 mm 5.21 mm 5.2 mm

宽度 4.19 mm 4.19 mm 4.19 mm

高度 5.2 mm 5.34 mm 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

温度系数 ±150 ppm/℃ ±20 ppm/℃ ±80 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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