PDTA143ZE和PDTA143ZM,315

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PDTA143ZE PDTA143ZM,315 DTA143EET1G

描述 PNP电阻配备晶体管R1 = 4.7千瓦, R2 = 47千瓦 PNP resistor-equipped transistors R1 = 4.7 kW, R2 = 47 kWDFN PNP 50V 100mA双电阻器数字 PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SC-75 SOT-883 SC-75-3

额定电压(DC) - - -50.0 V

额定电流 - - -100 mA

无卤素状态 - - Halogen Free

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 - 250 mW 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @10mA, 5V 15

最大电流放大倍数(hFE) - - 15

额定功率(Max) - 250 mW 200 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 250 mW 338 mW

增益带宽 - 180 MHz -

长度 - - 1.65 mm

宽度 - - 0.9 mm

高度 - 0.47 mm 0.9 mm

封装 SC-75 SOT-883 SC-75-3

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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