对比图
型号 IXTA3N120 IXTA3N120TRL IXTA3N110
描述 表面贴装型 N 通道 1200V 3A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXTA）IXTA Series Single N-Channel 1200V 4.5Ω 200W Power Mosfet - TO-263D2PAK N-CH 1100V 3A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
耗散功率 200 W 200W (Tc) 150 W
输入电容 - 1.35 nF -
栅电荷 - 42.0 nC -
漏源极电压(Vds) 1200 V 1200 V 1100 V
连续漏极电流(Ids) 3.00 A 3.00 A 3A
输入电容(Ciss) 1350pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 200 W 200 W -
耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc) 150W (Tc)
通道数 1 - 1
漏源极电阻 - - 4 Ω
极性 - - N-CH
漏源击穿电压 - - 1100 V
上升时间 - - 15 ns
下降时间 - - 18 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - 55 ℃
额定电压(DC) 1.20 kV - -
额定电流 3.00 A - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - - 9.9 mm
宽度 9.65 mm - 9.2 mm
高度 - - 4.5 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free