2SC3357和BFG235

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SC3357 BFG235 MRF559

描述 NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3 - pin电源MINIMOLD NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLDBFG235 NPN三极管 25V 300mA/0.3A 4Ghz~5.5Ghz 50~250 SOT-223 marking/标记 BFG235 宽带输出放大器射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Siemens Semiconductor (西门子) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 - SOT-223 Macro-X

引脚数 - - 4

封装 - SOT-223 Macro-X

高度 - - 2.54 mm

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 - - Bulk

耗散功率 - - 2000 mW

输出功率 - - 0.5 W

击穿电压(集电极-发射极) - - 16 V

增益 - - 9.5 dB

最小电流放大倍数(hFE) - - 30 @50mA, 10V

额定功率(Max) - - 2 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 2000 mW

RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

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