IPA60R600P6和IPA60R600P6XKSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPA60R600P6 IPA60R600P6XKSA1 IPA60R600CP

描述 600V,600mΩ,4.9A,N沟道功率MOSFET单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3INFINEON  IPA60R600CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

引脚数 - 3 3

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 28W (Tc) 28 W 28 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 4.9A 4.9A 6.1A

上升时间 7 ns 7 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 557pF @100V(Vds) 557pF @100V(Vds) 550pF @100V(Vds)

下降时间 14 ns 14 ns 17 ns

耗散功率(Max) 28W (Tc) 28000 mW -

额定功率 - 28 W -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.54 Ω 0.54 Ω

阈值电压 - 4 V 3 V

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -

额定功率(Max) - - 28 W

长度 10.65 mm - 10.65 mm

宽度 4.85 mm - 4.85 mm

高度 16.15 mm - 16.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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