IRF630FI和STP10NB20FP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF630FI STP10NB20FP 2SK2520-01MR

描述 N沟道增强型功率MOS晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORN - 沟道增强型MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFETTO-220F15 N-CH 200V 10A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) FUJI (富士电机)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

封装 - TO-220 TO-220

极性 - N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) - 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) - 6A 10A

封装 - TO-220 TO-220

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

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