对比图
型号 NGB8204ANT4G NGB8204NT4G
描述 Trans IGBT Chip N-CH 430V 18A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R点火IGBT 18安培， 400伏 Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3
无卤素状态 Halogen Free -
耗散功率 115000 mW 115000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 430 V 430 V
额定功率(Max) 115 W 115 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 115000 mW 115000 mW
额定电压(DC) - 400 V
额定电流 - 18.0 A
高度 4.83 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99