FDU8882和ISL9N312AD3

对比图

型号 FDU8882 ISL9N312AD3 FDU6692

描述 N沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench㈢ MOSFETN沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-251-3 TO-251 TO-251

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 55.0 A - -

漏源极电阻 11.5 mΩ 20.0 mΩ 12.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 55W (Tc) 75.0 W 57.0 W

输入电容 1.26 nF - -

栅电荷 22.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±16.0 V

连续漏极电流(Ids) 55.0 A 50.0 A 54.0 A

上升时间 82.0 ns - -

输入电容(Ciss) 1260pF @15V(Vds) - -

额定功率(Max) 55 W - -

耗散功率(Max) 55W (Tc) - -

封装 TO-251-3 TO-251 TO-251

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -