IXGK60N60B2D1和IXGK64N60B3D1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXGK60N60B2D1 IXGK64N60B3D1

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin(3+Tab) TO-264AATrans IGBT Chip N-CH 600V 64A 460000mW 3Pin(3+Tab) TO-264

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-264-3 TO-264-3

引脚数 - 3

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

反向恢复时间 35 ns 35 ns

额定功率(Max) 500 W 460 W

耗散功率 - 460000 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 460000 mW

封装 TO-264-3 TO-264-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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