对比图
型号 IXFK180N15P IXFX180N15P
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFK180N15P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 180 A, 150 V, 11 mohm, 10 V, 5 VTrans MOSFET N-CH 150V 180A 3Pin(3+Tab) PLUS 247
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 -
封装 TO-264-3 TO-247-3
通道数 1 1
针脚数 3 -
漏源极电阻 0.011 Ω 11 mΩ
极性 N-Channel -
耗散功率 830 W 830 W
阈值电压 5 V -
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V
连续漏极电流(Ids) 180 A -
上升时间 32 ns 32 ns
输入电容(Ciss) 7000pF @25V(Vds) 7000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 830 W -
下降时间 36 ns 36 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 830W (Tc) 830W (Tc)
漏源击穿电压 - 150 V
宽度 5.13 mm 5.21 mm
高度 26.16 mm 21.34 mm
封装 TO-264-3 TO-247-3
长度 - 16.13 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -