IRFZ44NPBF和IRFZ46N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFZ44NPBF IRFZ46N

描述 INFINEON  IRFZ44NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 41 A, 55 V, 0.0175 ohm, 10 V, 4 VTO-220AB N-CH 55V 53A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220

额定电压(DC) - 55.0 V

额定电流 - 53.0 A

漏源极电阻 0.0175 Ω 16.5 mΩ

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 83 W 88.0 W

产品系列 - IRFZ46N

漏源极电压(Vds) 55 V 55.0 V

漏源击穿电压 55 V 55.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 49A 53.0 A

上升时间 60 ns 76 ns

输入电容(Ciss) 1470pF @25V(Vds) 1696pF @25V(Vds)

下降时间 45 ns 57 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 94000 mW 107000 mW

通道数 - -

针脚数 3 -

阈值电压 4 V -

输入电容 1470 pF -

栅电荷 - -

额定功率(Max) 94 W -

额定功率 83 W -

封装 TO-220-3 TO-220

长度 10.67 mm -

宽度 4.4 mm -

高度 8.77 mm -

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - -

ECCN代码 - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台