对比图
描述 低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 Low VCEsat (BISS) transistorsTSSOP NPN 50V 20mANPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)
分类 双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TSSOP TSSOP-6 SOT-363
引脚数 - 6 -
极性 NPN NPN NPN
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 20mA 20mA 100mA
耗散功率 - 300 mW -
最小电流放大倍数(hFE) - 80 @5mA, 5V -
额定功率(Max) - 300 mW -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 300 mW -
封装 TSSOP TSSOP-6 SOT-363
高度 - 1 mm -
产品生命周期 Unknown Active End of Life
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -