IRF1404PBF和IRF1404ZPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF1404PBF IRF1404ZPBF AUIRF1404

描述 INFINEON  IRF1404PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 4 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRF1404ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 190 A, 40 V, 3.7 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  AUIRF1404  晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 40 V, 0.0035 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 200 W 220 W 333 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.004 Ω 0.0037 Ω 0.0035 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 200 W 220 W 333 W

阈值电压 4 V 4 V 2 V

输入电容 5669 pF - -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

漏源击穿电压 40 V - 40 V

连续漏极电流(Ids) 202A 190A 202A

上升时间 190 ns 110 ns 190 ns

输入电容(Ciss) 5669pF @25V(Vds) 4340pF @25V(Vds) 5669pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 333 W 200 W -

下降时间 33 ns 58 ns 33 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 333W (Tc) 220000 mW 333W (Tc)

通道数 - - 1

长度 10.67 mm 10.54 mm 10.66 mm

高度 8.77 mm 8.77 mm 16.51 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

宽度 - 4.69 mm 4.82 mm

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

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