对比图
型号 SI5903DC-T1-E3 SI5903DC-T1-GE3 NTHD4401PT3G
描述 MOSFET 20V 2.9A 2.1WMOSFET DUAL P-CH 20V 2.1A 1206-8Chip P-CH 20V 2.1A
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 - 8
封装 SMD-8 SMD-8 SMD-8
漏源极电阻 0.155 Ω - 200 mΩ
极性 Dual P-Channel - P-Channel
耗散功率 1.1 W - 1.10 W
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V - ±12.0 V
连续漏极电流(Ids) -2.90 A - 2.10 A
热阻 90℃/W (RθJA) - -
额定功率(Max) 1.1 W 1.1 W 1.1 W
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
额定电压(DC) - - -20.0 V
额定电流 - - -2.10 A
上升时间 - - 13 ns
输入电容(Ciss) - - 300pF @10V(Vds)
下降时间 - - 27 ns
耗散功率(Max) - - 1600 mW
长度 3.1 mm 3.05 mm -
宽度 1.65 mm 1.65 mm -
高度 1.1 mm 1.1 mm -
封装 SMD-8 SMD-8 SMD-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 - - EAR99