对比图
型号 NTB125N02R NTB125N02RT4G NTB125N02RT4
描述 功率MOSFET 125 A， 24 VN沟道TO- 220 ， D2PAK Power MOSFET 125 A, 24 V N−Channel TO−220, D2PAK125A,24V功率MOSFET功率MOSFET 125 A， 24 VN沟道TO- 220 ， D2PAK Power MOSFET 125 A, 24 V N−Channel TO−220, D2PAK
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 24.0 V 24.0 V 24.0 V
额定电流 125 A 125 A 125 A
漏源极电阻 3.70 mΩ 3.7 mΩ 3.70 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 1.98W (Ta), 113.6W (Tc) 2.72 W 1.98W (Ta), 113.6W (Tc)
漏源极电压(Vds) 24 V 24 V 24 V
漏源击穿电压 24.0 V 24 V 24.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 125 A 125 A 125 A
上升时间 - 39 ns 39.0 ns
输入电容(Ciss) 3440pF @20V(Vds) 3440pF @20V(Vds) 3440pF @20V(Vds)
额定功率(Max) 1.98 W - 1.98 W
耗散功率(Max) 1.98W (Ta), 113.6W (Tc) 1.98W (Ta), 113.6W (Tc) 1.98W (Ta), 113.6W (Tc)
通道数 - 1 -
下降时间 - 21 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - 55 ℃ -
输入电容 3.44 nF - -
栅电荷 28.0 nC - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.29 mm -
宽度 - 9.65 mm -
高度 - 4.83 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead
ECCN代码 - EAR99 -