IRFU9024N和IRFU9024NPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFU9024N IRFU9024NPBF IRFU9024

描述 IPAK P-CH 55V 11AINFINEON  IRFU9024NPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -55 V, 175 mohm, -10 V, -4 VPower Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, LEAD FREE, IPAK-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-251-3 TO-251-3 -

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) -60.0 V - -

额定电流 -1.60 A - -

极性 P-CH P-Channel -

耗散功率 38W (Tc) 38 W -

产品系列 IRFU9024N - -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V -

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11A -

上升时间 55.0 ns 55 ns -

输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) 38W (Tc) 38W (Tc) -

额定功率 - 38 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.175 Ω -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 350 pF -

额定功率(Max) - 38 W -

下降时间 - 37 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-251-3 TO-251-3 -

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 2.39 mm -

高度 - 6.22 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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