对比图
型号 AUIRF3805L IRF3805S IRF3805STRLPBF
描述 N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 55V 220AINFINEON IRF3805STRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 55 V, 0.0026 ohm, 10 V, 4 V 新
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-262-3 TO-263-3 TO-263-3
针脚数 - - 3
漏源极电阻 3.3 mΩ 2.60 mΩ 0.0026 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 300 W 330W (Tc) 300 W
阈值电压 - - 4 V
输入电容 - - 7960 pF
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 210A 75.0 A 210A
上升时间 20 ns 20.0 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 7960pF @25V(Vds) 7960pF @25V(Vds) 7960pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 300 W
下降时间 87 ns - 87 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 330W (Tc) 300W (Tc)
额定电压(DC) - 55.0 V -
额定电流 - 75.0 A -
正向电压 - 1.30 V -
产品系列 - IRF3805S -
漏源击穿电压 55 V 55.0V (min) -
额定功率 300 W - -
通道数 1 - -
长度 10.67 mm - 10.67 mm
宽度 4.82 mm - 6.22 mm
高度 11.3 mm - 2.3 mm
封装 TO-262-3 TO-263-3 TO-263-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Bulk Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17