M29W640GB70ZA6E和M29W640GT70ZA6E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M29W640GB70ZA6E M29W640GT70ZA6E M29W640FT70ZA6E

描述 4MX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-48NOR Flash Parallel 3V/3.3V 64Mbit 8M/4M x 8Bit/16Bit 70ns 48Pin TFBGA Tray64兆位(8MB X8或X16 4Mb的,页,引导块) 3V供应闪存 64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Micron (镁光) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 Flash芯片Flash芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 48 -

封装 TFBGA BGA TFBGA-48

供电电流 - 10 mA -

位数 - 8, 16 -

存取时间(Max) - 70 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 40 ℃

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)

时钟频率 - - 70.0 GHz

存取时间 - - 70.0 ns

内存容量 - - 64000000 B

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 2.7 V

封装 TFBGA BGA TFBGA-48

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

工作温度 - - 40℃ ~ 85℃

ECCN代码 - - 3A991

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