IS61WV25616EDBLL-8BLI和IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS61WV25616EDBLL-8BLI IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR

描述 4Mb, High-Speed/Low Power, Async with ECC, 256K x 16, 8ns, 3.3V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHSSRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 8ns 48Pin TFBGA T/R

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48

封装 TFBGA-48 TFBGA-48

位数 16 -

存取时间 8 ns 8 ns

存取时间(Max) 8 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

封装 TFBGA-48 TFBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99

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