对比图
型号 SI7886ADP-T1-E3 SIR466DP-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
数据手册 --
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SO-8 SO-8
引脚数 - 8
耗散功率 1.9W (Ta) 54 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
输入电容(Ciss) 6450pF @15V(Vds) 2730pF @15V(Vds)
耗散功率(Max) 1.9W (Ta) 5W (Ta), 54W (Tc)
漏源极电阻 - 0.0029 Ω
阈值电压 - 2.4 V
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
封装 SO-8 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free