对比图
型号 JANTXV1N747A-1 MMSZ5231B 1N747A
描述 SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESZENER DIODESNTE ELECTRONICS 1N747A ZENER DIODE 3.6V 0.5W(1/2W) 5% DO-35 CASE
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) SynSemi NTE Electronics
分类 齐纳二极管分立器件
安装方式 Through Hole - -
引脚数 2 - -
封装 DO-35-2 - -
容差 ±5 % - -
正向电压 1.1V @200mA - -
耗散功率 480 mW - -
测试电流 20 mA - -
稳压值 3.6 V - -
额定功率(Max) 500 mW - -
工作温度(Max) 175 ℃ - -
工作温度(Min) -65 ℃ - -
耗散功率(Max) 500 mW - -
长度 5.08 mm - -
封装 DO-35-2 - -
工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 Bag - Bulk
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 - -
ECCN代码 EAR99 - -