IS62C1024AL-35QLI-TR和IS62C1024L-70QI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS62C1024AL-35QLI-TR IS62C1024L-70QI IS62C1024AL-35QLI

描述 静态随机存取存储器 1Mb 128K x 8 35ns 5v Async 静态随机存取存储器 5v128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM 32P SOIC 128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM 32P SOIC 128K x 8 LOW POWER CMOS STATI...RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 32 32 32

封装 SOP-32 SOP SOP-32

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

位数 8 8 8

存取时间(Max) 35 ns 70 ns 35 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) - 5.00 V, 5.50 V (max)

存取时间 35 ns - 35 ns

内存容量 1000000 B - 125000 B

电源电压 4.5V ~ 5.5V - 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 4.5 V - -

工作电压 - - 4.5V ~ 5.5V

针脚数 - - 32

封装 SOP-32 SOP SOP-32

长度 - - 20.75 mm

宽度 - - 11.43 mm

高度 - - 2.75 mm

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Each

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃ (TA)

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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