IRFBF30和IRFBF30PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFBF30 IRFBF30PBF

描述 Mosfet n-Ch 900V 3.6A To-220abTrans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3Pin(3+Tab) TO-220AB

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

耗散功率 125W (Tc) 125W (Tc)

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V

输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 125 W

耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc)

封装 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.41 mm -

宽度 4.7 mm -

高度 15.49 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

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