FJV3103R和MMUN2212LT1

对比图

型号 FJV3103R MMUN2212LT1 MMUN2212LT3

描述 NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Leshan Radio (乐山无线电)

分类 双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

极性 NPN N-Channel -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

额定电压(DC) - 50.0 V -

额定电流 - 100 mA -

耗散功率 - 246 mW -

最小电流放大倍数(hFE) - 60 @5mA, 10V -

最大电流放大倍数(hFE) - 60 -

额定功率(Max) - 246 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 0.94 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -