KSP2222ATA和KSP2222ATF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSP2222ATA KSP2222ATF MPS2222ARLG

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSP2222ATA  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 35 hFENPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。通用晶体管 General Purpose Transistors

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

频率 250 MHz 300 MHz 300 MHz

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V 40.0 V

额定电流 600 mA 600 mA 600 mA

额定功率 500 mW - -

针脚数 3 - -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 625 mW 0.625 W 0.625 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 35 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) 35 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.625 W 625 mW 625 mW

长度 4.58 mm 4.58 mm -

宽度 3.86 mm 3.86 mm -

高度 4.58 mm 4.58 mm -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Box Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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