APT40N60JCU2和IXKR40N60

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT40N60JCU2 IXKR40N60 FMD40-06KC

描述 ISOTOP升压斩波超级结MOSFET功率模块 ISOTOP Boost chopper Super Junction MOSFET Power ModuleMOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247Trans MOSFET N-CH 600V 38A 5Pin(5+Tab) ISOPLUS I4-PAC

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Chassis - Through Hole

封装 SOT-227-4 - ISOPLUS-i4-PAK-5

引脚数 4 - -

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 60 mΩ

耗散功率 290000 mW - -

阈值电压 - - 3.9 V

漏源极电压(Vds) 600 V - 600 V

漏源击穿电压 - - 600 V

上升时间 30 ns - 30 ns

下降时间 10 ns - 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

极性 N-CH - -

连续漏极电流(Ids) 40A - -

输入电容(Ciss) 7015pF @25V(Vds) - -

耗散功率(Max) 290W (Tc) - -

长度 - - 19.91 mm

宽度 - - 5.03 mm

高度 9.6 mm - 20.88 mm

封装 SOT-227-4 - ISOPLUS-i4-PAK-5

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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