2N6036G和BD680AS

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6036G BD680AS 2N6036

描述 塑料达林顿互补硅功率晶体管 Plastic Darlington Complementary Silicon Power TransistorsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD680AS  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 14 W, -4 A, 750 hFE塑料达林顿互补硅功率晶体管 Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126-3

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V

额定电流 -4.00 A -4.00 A -4.00 A

针脚数 3 3 -

极性 PNP PNP Dual P-Channel

耗散功率 40 W 14 W 40000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 4A 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 750 @2A, 3V 750 @2A, 3V 750 @2A, 3V

额定功率(Max) 40 W 14 W 40 W

直流电流增益(hFE) 15 750 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW 14000 mW 40000 mW

无卤素状态 Halogen Free - -

最大电流放大倍数(hFE) 15000 - 15000

高度 11.04 mm 11.2 mm -

封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126-3

长度 7.74 mm - -

宽度 2.66 mm - -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Bulk Bulk

最小包装 - - 500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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