IC43R16160B-5TL和IS43R16160B-5TL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IC43R16160B-5TL IS43R16160B-5TL UCC

描述 DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, LEAD FREE, TSOP2-66256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 66Pin TSOP II (400 mil) RoHSDDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66,

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Samsung (三星)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 TSSOP TSOP-66 TSSOP

安装方式 - Surface Mount -

封装 TSSOP TSOP-66 TSSOP

长度 - 22.42 mm -

宽度 - 10.29 mm -

高度 - 1.05 mm -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

存取时间 - 5 ns -

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

电源电压 - 2.5 V -

电源电压(Max) - 2.7 V -

电源电压(Min) - 2.3 V -

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司