BD433和BD437

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD433 BD437 BD437TG

描述 互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORSNPN 功率晶体管,STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 SOT-32 TO-126-3 TO-225-3

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 36000 mW 36000 mW 36000 mW

频率 - 3 MHz 3 MHz

额定功率 - 36 W -

针脚数 - 3 -

极性 - NPN NPN

耗散功率 - 36 W 36 W

击穿电压(集电极-发射极) - 45 V 45 V

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @10mA, 5V 85 @500mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) - 130 -

额定功率(Max) - 36 W 36 W

直流电流增益(hFE) - 140 -

额定电压(DC) - - 45.0 V

额定电流 - - 4.00 A

集电极最大允许电流 - - 4A

封装 SOT-32 TO-126-3 TO-225-3

长度 - 7.8 mm -

宽度 - 2.7 mm -

高度 - 10.8 mm -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube, Rail Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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