IRF3805S-7P和IRF3805STRL-7PP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF3805S-7P IRF3805STRL-7PP AUIRF3805S-7P

描述 D2PAK N-CH 55V 240A晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 55 V, 0.002 ohm, 10 V, 4 VINFINEON  AUIRF3805S-7P  晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 55 V, 0.002 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 7 7 7

封装 TO-263-7 TO-263-7 TO-263-7

额定功率 - 300 W 300 W

通道数 - - 1

针脚数 - 7 7

漏源极电阻 2.00 mΩ 0.002 Ω 0.002 Ω

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 - 300 W 300 W

阈值电压 - 4 V 2 V

漏源极电压(Vds) 55.0 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 160 A 240A 240A

上升时间 130 ns 130 ns 130 ns

输入电容(Ciss) 7820pF @25V(Vds) 7820pF @25V(Vds) 7820pF @25V(Vds)

下降时间 52 ns 52 ns 52 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300000 mW 300W (Tc) 300W (Tc)

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 160 A - -

正向电压 1.30 V - -

产品系列 IRF3805S-7P - -

漏源击穿电压 55.0V (min) - -

长度 - - 10.35 mm

宽度 - - 10.05 mm

高度 - - 4.55 mm

封装 TO-263-7 TO-263-7 TO-263-7

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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