JAN1N937B-1和RH937B-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N937B-1 RH937B-1 1N937B

描述 DO-35 9V 0.5W(1/2W)DO-7 9V 0.5W(1/2W)9.0 VOLT温度补偿齐纳二极管基准二极管 9.0 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-35 DO-7 DO-35-2

耗散功率 500 mW 500 mW 500 mW

测试电流 7.5 mA 7.5 mA 7.5 mA

稳压值 9 V 9 V 9 V

容差 ±5 % - -

额定功率(Max) 500 mW - -

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

封装 DO-35 DO-7 DO-35-2

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag - Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -

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