IRF7910PBF和STS5DNF20V

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7910PBF STS5DNF20V

描述 Trans MOSFET N-CH 12V 10A 8Pin SOIC TubeSTMICROELECTRONICS  STS5DNF20V  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 2.7 V

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC SOIC-8

额定电压(DC) 12.0 V 20.0 V

额定电流 10.0 A 5.00 A

额定功率 - 1.6 W

针脚数 - 8

漏源极电阻 15 mΩ 30 mΩ

极性 Dual N-Channel Dual N-Channel

耗散功率 2 W 2 W

阈值电压 2 V 2.7 V

漏源极电压(Vds) 12 V 20 V

漏源击穿电压 12.0 V 20.0 V

栅源击穿电压 - ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 5.00 A

上升时间 22 ns 33 ns

输入电容(Ciss) - 460pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2 W

下降时间 6.3 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2 W

产品系列 IRF7910 -

长度 - 5 mm

宽度 - 4 mm

高度 - 1.65 mm

封装 SOIC SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99

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