BC848BLT1G和BSR13

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC848BLT1G BSR13 BC849BLT3G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC848BLT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 200 hFENPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier通用晶体管 General Purpose Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 100 mA 500 mA 100 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 300 mW 0.35 W -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

最小电流放大倍数(hFE) 200 100 @150mA, 10V 200 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 300 -

额定功率(Max) 300 mW 350 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

频率 100 MHz - -

针脚数 3 - -

集电极最大允许电流 0.1A - 0.1A

直流电流增益(hFE) 200 - -

耗散功率(Max) 300 mW - -

长度 2.9 mm 2.92 mm -

宽度 1.3 mm 1.3 mm -

高度 0.94 mm 0.93 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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