APT17F100B和IXFH15N100Q3的区别_APT17F100B代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT17F100B IXFH15N100Q3 IXFT15N100Q3

描述 N沟道FREDFET N-Channel FREDFETPower Field-Effect Transistor,Power Field-Effect Transistor,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Littelfuse (力特) Littelfuse (力特)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

引脚数 3 - -

封装 TO-247-3 - -

额定电压(DC) 1.00 kV - -

额定电流 17.0 A - -

耗散功率 625W (Tc) - -

输入电容 2.25 nF - -

栅电荷 90.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 1000 V - -

连续漏极电流(Ids) 17.0 A - -

上升时间 31 ns - -

输入电容(Ciss) 4845pF @25V(Vds) - -

下降时间 28 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 625W (Tc) - -

封装 TO-247-3 - -

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free - -